IPB06N03LAT
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB06N03LAT |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2653 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB06N |
IPB06N03LAT Einzelheiten PDF [English] | IPB06N03LAT PDF - EN.pdf |
IPB072N15N3 INFINEON
IPB070N06LG VB
IPB06N03LBG Infineon
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
INFINEON SOT252
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPB070N06NG VB
IPB072N15N3 G Infineon Technologies
IPB06N03LAG INFINEON
INF TO-263
IPB06CN10NG INF
IPB06CNE8NG VB
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPB06N03L INFINEON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB06N03LATInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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